Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMG6602SVTQ-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMG6602SVTQ-7-DG
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
Inventario:
112251 Pz Nuovo Originale Disponibile
12888030
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DMG6602SVTQ-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
N and P-Channel
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
400pF @ 15V
Potenza - Max
840mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore
TSOT-26
Numero di prodotto di base
DMG6602
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DMG6602SVTQ-7DIDKR
DMG6602SVTQ-7DITR
DMG6602SVTQ-7DICT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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