Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMG4N65CTI
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMG4N65CTI-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Inventario:
12882720
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DMG4N65CTI Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
8.35W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
ITO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numero di prodotto di base
DMG4
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TSM4ND65CI
FABBRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÀ DISPONIBILE
1845
NUMERO DI PEZZO
TSM4ND65CI-DG
PREZZO UNITARIO
1.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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