Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMG4N65CT
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMG4N65CT-DG
Descrizione:
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12883638
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DMG4N65CT Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.19W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
DMG4
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
DMG4N65CTDI
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP5NK80Z
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
240
NUMERO DI PEZZO
STP5NK80Z-DG
PREZZO UNITARIO
0.85
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
IXTP4N80P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTP4N80P-DG
PREZZO UNITARIO
1.10
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IRF820PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1744
NUMERO DI PEZZO
IRF820PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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