DMG4N60SJ3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMG4N60SJ3

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMG4N60SJ3-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

Inventario:

12891862
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DMG4N60SJ3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
532 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
41W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-251
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
DMG4

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
75

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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