Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMG4800LK3-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMG4800LK3-13-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventario:
6452 Pz Nuovo Originale Disponibile
12882857
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DMG4800LK3-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1.6V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
798 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.71W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
DMG4800
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
DMG4800LK313
DMG4800LK3-13DIDKR
DMG4800LK3-13DICT
DMG4800LK3-13DITR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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