Numero di Prodotto del Fabbricante:
DDTC114ELP-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DDTC114ELP-7-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 250 mW Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventario:
12882025
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DDTC114ELP-7 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 50mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 10mA, 70mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
250 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
3-UFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
X1-DFN1006-3
Numero di prodotto di base
DDTC114
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DDTC114ELPDIDKR-DG
DDTC114ELPDITR
DDTC114ELP7
-DDTC114ELP-7DICT
DDTC114ELP-7DIDKR
DDTC114ELP-7DITR
-DDTC114ELP-7DITR
-DDTC114ELP-7DIDKR
DDTC114ELPDICT-DG
DDTC114ELPDITR-DG
DDTC114ELPDIDKR
DDTC114ELP-7DICT
DDTC114ELPDICT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NSBC114EF3T5G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
53397
NUMERO DI PEZZO
NSBC114EF3T5G-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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