BS870Q-7-F
Numero di Prodotto del Fabbricante:

BS870Q-7-F

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

BS870Q-7-F-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 300mW Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

8629 Pz Nuovo Originale Disponibile
12881992
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

BS870Q-7-F Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
50 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
BS870

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
BS870Q
Scheda Dati HTML
BS870Q-7-F-DG
Schede dati
BS870Q-7-F

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
BS870Q-7-FDIDKR
BS870Q-7-FDITR
BS870Q-7-FDICT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Prodotti correlati
vishay-siliconix

IRFP31N50L

MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3

stmicroelectronics

STB18NM60ND

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

vishay-siliconix

IRF830STRL

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

diodes

DMT6013LFDF-13

MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN