Numero di Prodotto del Fabbricante:
CC-C2-B15-0322
Product Overview
Produttore:
CoolCAD
Numero di Parte:
CC-C2-B15-0322-DG
Descrizione:
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
30 Pz Nuovo Originale Disponibile
13373452
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CC-C2-B15-0322 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id
3.2V @ 5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Vgs (massimo)
+15V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1810 pF @ 200 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5
Altri nomi
3892-CC-C2-B15-0322
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
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