Numero di Prodotto del Fabbricante:
2N4250A
Product Overview
Produttore:
Central Semiconductor Corp
Numero di Parte:
2N4250A-DG
Descrizione:
TRANS PNP 60V TO126
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 200 mW Through Hole TO-126
Inventario:
12791018
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
2N4250A Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Central Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
60 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
10nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
250 @ 100µA, 5V
Potenza - Max
200 mW
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-126
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MJE210G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
3156
NUMERO DI PEZZO
MJE210G-DG
PREZZO UNITARIO
0.27
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
CTLT3410-M621 TR
TRANS NPN 25V 1A TLM621
CZT3904 TR PBFREE
TRANS NPN 40V 0.2A SOT223
2N3565
TRANSISTOR NPN TO-106
