Numero di Prodotto del Fabbricante:
AOW10N65
Product Overview
Produttore:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numero di Parte:
AOW10N65-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 10A TO262
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
12846930
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AOW10N65 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1645 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
AOW10
Scheda dati e documenti
Disegni del prodotto
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
5202-AOW10N65
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFBC40LPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IRFBC40LPBF-DG
PREZZO UNITARIO
2.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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